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机译:利用计算机辅助空位迁移分析预测铜镶嵌互连中应力诱发的空洞可靠性
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
New Industry Creation Hatchery Center (NICHe), Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan;
机译:双镶嵌铜互连结构中电迁移引起的空穴迁移的原位观察
机译:晶粒生长应力和应力梯度对超大规模集成电路铜/低k互连中应力诱导的空洞的影响
机译:铜双大马士革互连中上部铜膜的冶金性能对应力诱导空洞的影响
机译:计算机辅助空位迁移分析对Cu镶嵌互连中应力诱导的压力诱导寿命的预测
机译:Al(Cu)互连中电迁移可靠性的研究。
机译:铜双镶嵌互连的早期电迁移失败的紧凑模型
机译:在Via-Below和Via-above Cu双镶嵌互连中的致命空隙尺寸比较