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机译:量子输运分析法研究量子限制对12nm绝缘体上硅鳍片场效应晶体管电学特性的影响
Department of Electrical Engineering, National Dong Hwa University, Hualien 97401, Taiwan;
机译:适用于低于10 nm技术节点的超大规模Si_(1-x)Ge_x全方位栅和鳍式场效应晶体管的量子约束和能带结构效应的有效从头算分析
机译:室温量子限制对超薄si纳米线场效应晶体管传输特性的影响
机译:使用两步提升硅外延工艺的薄型(100)Channe绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的电学特性和晶体质量分析
机译:纳米线MOSFET中漏极电流的分析模型,包括量子约束,能带结构效应和准弹道传输:器件到电路性能分析
机译:胶体砷化铟和磷化铟量子线和棒:合成,量子约束效应和电传输性质。
机译:三维运动中量子耦合的能量弛豫对石墨烯场效应晶体管隧穿电流的影响
机译:碳纳米管电特性的温度依赖性 场效应晶体管:量子模拟研究