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机译:氧空位和氧空位迁移对BaTiO_3基陶瓷介电响应的影响
Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan;
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机译:Sm_(1.5)Sr_(0.5)NiO_(4-δ)陶瓷中氧空位对巨大介电响应的贡献
机译:氧气空位,氧气空位空缺对,以及立方含氧化钇中的弗雷克尔缺陷
机译:高介电常数介电氧化物电容器在高直流电场和氧空位引起的电迁移的情况下改进的可靠性预测
机译:氧气空位相互作用的第一原理研究及其对镧锶铁氧体氧气空位形成和迁移的影响
机译:氧气空位在氧还原反应中二氧化钛支撑的金属纳米颗粒中的影响及碳电氧化反应
机译:表面氧空位:在环境条件下研究的金属氧化物半导体中光诱导的表面氧空位的动力学(Adv。Sci。22/2019)
机译:氧职业对钛酸锶陶瓷内部介电常数的影响