机译:深反应离子刻蚀和抗蚀剂层选择性灰化结合紫外光固化形成的多层高微结构
Department of Advanced Science and Technology, Toyota Technological Institute, Nagoya 468-8511, Japan;
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Department of Advanced Science and Technology, Toyota Technological Institute, Nagoya 468-8511, Japan;
Department of Advanced Science and Technology, Toyota Technological Institute, Nagoya 468-8511, Japan;
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan;
Department of Advanced Science and Technology, Toyota Technological Institute, Nagoya 468-8511, Japan;
机译:通过使用C_(60)双层抗蚀剂掩模的电子束光刻和反应离子刻蚀的边缘增强写入法制造的Si线波导的损耗降低
机译:通过紫外-纳米压印光刻,深度反应离子刻蚀和原子层沉积制备的纳米穿孔硅膜
机译:使用干膜抗蚀剂和深反应离子刻蚀机制造多层微结构
机译:通过深反应离子蚀刻和软液体掩模制造的多高度微观结构与UV固化结合
机译:使用组合紫外线和真空 - 紫外线辐射对有机硅酸盐玻璃上的非热固化过程的电气和机械效应
机译:KOH溶液中Si的一步各向异性湿法腐蚀制备的两层微结构
机译:在KOH溶液中通过一步各向异性湿法蚀刻si制备双层微结构
机译:等离子体诱导损伤对离子注入Gaas mEsFET在反应离子刻蚀(RIE)和等离子体灰化过程中通道层的影响。