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机译:关于具有GaN基板的平面GaN基LED中由于热效应导致的效率下降的理论考虑
Panasonic Corporation, Moriguchi, Osaka 570-8501, Japan ,Kobe University, Kobe 657-8501, Japan;
Stanford University, Stanford, CA 94305-4075, U.S.A.;
Stanford University, Stanford, CA 94305-4075, U.S.A.;
Kobe University, Kobe 657-8501, Japan;
Panasonic Corporation, Moriguchi, Osaka 570-8501, Japan;
机译:用于提高GaN基LED光提取效率的纳米透明天宝基板的参数优化
机译:AlGaN中间层对硅衬底上GaN基绿色LED的发光效率和可靠性的影响
机译:具有图案化蓝宝石衬底和图案化ITO的GaN基LED的提高的光提取效率
机译:双面球形帽状图案蓝宝石衬底提高了GaN基倒装芯片LED的光提取效率
机译:透射电子显微镜探索GaN的电子器件的物理缺陷和降解机制
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:用于提高GaN的发光二极管效率的新型图案化的蓝宝石基材
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告