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机译:使用高级随机电报噪声模拟器对陷阱表征精度进行全面研究
Toshiba Co Ltd, Adv LSI Technol Lab, Corp R&D Ctr, Kawasaki, Kanagawa 2128582, Japan.;
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机译:低频噪声和随机电报噪声表征对退火工艺对高k /金属栅n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管陷阱性质的影响
机译:由过程和循环应力诱导陷阱在26 nm NAND闪存中产生的随机电报噪声的表征
机译:利用随机电报噪声表征具有不同单轴拉伸应力的28 nm n型金属氧化物半导体场效应晶体管中的氧化物陷阱
机译:全面研究高级SiGe HBT的基极和收集器中的随机电报噪声:偏置,几何形状和陷阱位置
机译:MOS晶体管中随机电报信号和逆频率噪声
机译:纳米级晶体管中的异常随机电报噪声作为氧化物陷阱的两个亚稳态的直接证据
机译:缩放NAND闪存随机电报噪声统计分布的陷阱数量和陷阱深度位置