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【2h】

Number of traps and trap depth position on statistical distribution of random telegraph noise in scaled NAND flash memory

机译：缩放NAND闪存随机电报噪声统计分布的陷阱数量和陷阱深度位置

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Toshihiro Tomita; Kousuke Miyaji;
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年度 2016
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1. Number of traps and trap depth position on statistical distribution of random telegraph noise in scaled NAND flash memory [J] . Tomita Toshihiro, Miyaji Kousuke Japanese journal of applied physics . 2016,第4s期

机译：规模化NAND闪存中随机电报噪声统计分布的陷阱数量和陷阱深度位置
2. Characterization of Random Telegraph Noise Generated by Process- and Cycling- Stress-Induced Traps in 26 nm NAND Flash Memory [J] . Bong-Su Jo, Ho-Jung Kang, Sung-Min Joe, Japanese journal of applied physics . 2013,第4Issue2期

机译：由过程和循环应力诱导陷阱在26 nm NAND闪存中产生的随机电报噪声的表征
3. Random Telegraph Noise-Induced Sensitivity of Data Retention to Cell Position in the Programmed Distribution of NAND Flash Memory Arrays [J] . Resnati Davide, Monzio Compagnoni Christian, Paolucci Giovanni M., Electron Device Letters, IEEE . 2015,第7期

机译：NAND闪存阵列编程分布中随机电报噪声对数据保留对单元位置的敏感性
4. Monte Carlo Simulation of Impact of Random Telegraph Noise in 45 nm MOSFET Due to Combined Effects of Random Interface Traps and Random Channel Dopant Distributions [C] . N. Ashraf, D. Vasileska, Z. Ma NSTI-Nanotech 2010;NSTI nanotechnology conference and expo;Bio Nanotech 2010;NSTI bio nano conference and expo;Microtech 2010;Microtechnology conference and expo;WCM 2010;Workshop on compact modeling;NSTI nanotech ventures;TechConnect summit;Clean technology . 2010

机译：由于随机界面陷阱和随机沟道掺杂物分布共同作用而对45 nm MOSFET中随机电报噪声的影响的蒙特卡罗模拟
5. Charge Trapping Flash Memory With High-k Dielectrics. [D] . Eun, Dong Seog. 2011

机译：高k电介质的电荷陷阱闪存。
6. Random Telegraph Noise in 3D NAND Flash Memories [O] . Alessandro S. Spinelli, Gerardo Malavena, Andrea L. Lacaita, 2021

机译：3D NAND闪存记忆中的随机电报噪声
7. Channel-Stacked NAND Flash Memory with High-κ Charge Trapping Layer for High Scalability [O] . Joo Yun Seo, Yoon Kim, Sang-Ho Lee, 2019

机译：具有高κ电荷诱捕层的通道堆叠NAND闪存，可用于高可扩展性

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