机译:氢离子对图案化垂直磁隧道结损伤机理的研究
Samsung Elect Co Ltd, Semicond R&D Ctr, Hwasung 445701, Gyeonggi, South Korea.;
Tohoku Univ, Ctr Innovat Integrated Elect Syst, Sendai, Miyagi 9800845, Japan.;
机译:氢图案化气体对垂直磁性隧道结的电和磁性能的影响
机译:垂直CoFeB / MgO磁性隧道结的边缘损伤效应的微磁研究
机译:通过氧气喷淋后处理过程恢复受损层来改善图案化磁性隧道结的电磁性能
机译:通过等离子体处理将表面粗糙度和L1_0-eptody电极垂直磁隧道结的表面粗糙度和NEER联接
机译:垂直磁各向异性材料和磁隧道结的切换研究
机译:CoFeB / MgO垂直磁隧道结的各向异性各向异性隧道关联:一种电子方法
机译:嵌段共聚物光刻图案化CoFeB垂直磁隧道结阵列的磁反转和热稳定性