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机译:脉冲激光沉积在(100)Ge衬底上薄膜生长(110)金红石型TiO2
Meiji Univ, Grad Sch Sci & Technol, Kawasaki, Kanagawa 2148571, Japan|Natl Inst Mat Sci, WPI MANA, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Natl Inst Mat Sci, WPI MANA, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan|JST, PRESTO, Kawaguchi, Saitama 3320012, Japan;
Natl Inst Mat Sci, WPI MANA, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Natl Inst Mat Sci, WPI MANA, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Meiji Univ, Grad Sch Sci & Technol, Kawasaki, Kanagawa 2148571, Japan;
Natl Inst Mat Sci, WPI MANA, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
机译:通过脉冲激光沉积在(100)Ge单晶上Ge掺入(110)金红石TiO2的外延
机译:La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜在SrTiO_3(100)衬底上的脉冲激光沉积生长:结构,光学和电学性质
机译:通过脉冲激光沉积在(100) - 和(110)-SRTIO3基板上生长的松弛外延镍薄膜的微观结构和抗氧化性
机译:使用脉冲激光沉积的硅晶片衬底(100)上的氧化钇稳定氧化锆薄层的生长
机译:脉冲激光沉积硅(100)-2X1上的激发诱导的锗量子点生长
机译:FePc和FePcF16对金红石TiO2(110)和(100)的影响:基质制备对相互作用强度的影响
机译:通过脉冲激光沉积在Si(100)上选择性生长(100),(110)和(111)取向的MgO膜