...
机译:绝缘子上Au诱导结晶在绝缘子上的准单晶SiGe
Kyushu Univ, Dept Elect, Fukuoka 8190395, Japan;
Kyushu Univ, Dept Elect, Fukuoka 8190395, Japan;
Kyushu Univ, Dept Elect, Fukuoka 8190395, Japan;
Kyushu Univ, Dept Elect, Fukuoka 8190395, Japan;
机译:“通过Au诱导结晶在绝缘体上形成准单晶SiGe,用于柔性电子产品”
机译:Au诱导的侧向结晶在SiO2上400摄氏度形成多晶硅
机译:通过层间交换过程,Au诱导绝缘子上的Si低温(〜250°C)结晶
机译:先进柔性电子绝缘子上金诱导的低温(≤300℃)准单晶硅锗的生长
机译:柔性声子晶体和连续体拓扑绝缘子的设计
机译:通过控制前体原子密度以进行固相结晶而形成的绝缘体上的高空穴迁移率多晶Ge
机译:低温Al诱导结晶型绝缘体中间组合物SiGe的取向控制