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机译:具有Al梯度GaN / AlGaN多层电子阻挡层的InGaN LED的性能增强
Epistar Corp, Tainan 744, Taiwan;
Natl Kaohsiung Marine Univ, Dept Microelect Engn, Kaohsiung 81157, Taiwan;
Natl Kaohsiung Marine Univ, Dept Microelect Engn, Kaohsiung 81157, Taiwan;
Epistar Corp, Tainan 744, Taiwan;
Epistar Corp, Tainan 744, Taiwan;
机译:双AlGaN / InGaN超晶格电子阻挡层改善了InGaN / GaN发光二极管的性能
机译:具有AlGaN / InGaN超晶格电子阻挡层的InGaN发光二极管的性能增强
机译:n型和p型AlGaN电子阻挡层对InGaN / GaN多量子阱发光二极管的影响
机译:浅第一阱和阶梯式电子阻挡层增强了GaN / InGaN多量子阱LED的性能
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:应变松弛对在具有溅射AlN成核层的4英寸蓝宝石衬底上生长的InGaN / GaN绿色LED的性能的影响
机译:n型和p型AlGaN电子阻挡层对InGaN / GaN多量子阱发光二极管的影响
机译:经受高电流脉冲的蓝色alGaN / InGaN / GaN LED的劣化