机译:六方氮化硼衬底上CVD生长的石墨烯薄膜的清洁和无聚合物转移
Nagoya Univ, Dept Chem, Nagoya, Aichi 4648602, Japan|Nagoya Univ, Inst Adv Res, Nagoya, Aichi 4648602, Japan;
Tokyo Metropolitan Univ, Dept Phys, Hachioji, Tokyo 1920397, Japan;
Tokyo Metropolitan Univ, Dept Phys, Hachioji, Tokyo 1920397, Japan;
Tokyo Metropolitan Univ, Dept Phys, Hachioji, Tokyo 1920397, Japan;
Tokyo Metropolitan Univ, Dept Phys, Hachioji, Tokyo 1920397, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Nagoya Univ, Dept Chem, Nagoya, Aichi 4648602, Japan|Nagoya Univ, Inst Adv Res, Nagoya, Aichi 4648602, Japan;
Tokyo Metropolitan Univ, Dept Phys, Hachioji, Tokyo 1920397, Japan|JST, PRESTO, Kawaguchi, Saitama 3320012, Japan;
机译:在六方氮化硼衬底上转移几层石墨烯片以制造石墨烯器件
机译:大型石墨烯电子平台-CVD生长的六方氮化硼上单层石墨烯的CVD生长
机译:具有大畴尺寸和清洁界面的单层六方氮化硼薄膜,用于增强基于石墨烯的场效应晶体管的迁移率
机译:基于在SiO2衬底上转移的CVD生长的石墨烯薄膜的纳米互连的高频性能极限
机译:自旋电子学的新大道;六方氮化硼和功能化石墨烯上超薄钴膜的磁传输
机译:六方氮化硼薄片作为可转移衬底上二氧化钒薄膜的生长
机译:在六边形氮化物基材上转移几层石墨烯片以制造石墨烯装置