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机译:氢退火在氮化硅薄膜中陷阱能级调制的实验证据
Toshiba Co Ltd, Corp Res & Dev Ctr, Kawasaki, Kanagawa 2128582, Japan;
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机译:衰老和热退火对PECVD生长氢化非晶碳氮化膜的振动和微观结构性能的影响
机译:氢化氮化硅薄膜的光学和物理化学特性:热退火的影响
机译:快速热退火富硅氮化硅膜中PECVD生长的硅纳米级夹杂物的介电功能
机译:退火环境对含硅纳米颗粒的氮化硅薄膜中氢相关键结构的影响
机译:氢在PECVD沉积的氮化硅薄膜中的重新分布。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:用于光伏应用的退火氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜的光学特性
机译:非晶氢化氮化硅薄膜中的光诱导氮悬挂键。