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机译:含MgH_2-Nb的电子和键合性能
IFIMAT, UNCentro and ANPCYT, Pinto 399, B7000GHG Tandil, Argentina;
IFIMAT, UNCentro and CONICET, Pinto 399, B7000GHG Tandil, Argentina;
Dpto. Fisica, Uniuersidad Nacional del Sur, Au. Alem 1253, Bahia Blanca, Argentina;
IFIMAT, UNCentro and CICPBA, Pinto 399, B7000GHG Tandil, Argentina;
magnesium hydride; first principle calculations; electronic structure; vacancies;
机译:Zn空位单掺杂和(Zn空位,Li)共掺杂ZnO的铁磁性能,电子结构和形成能的第一性原理研究
机译:用于评估分子内氢键(IMHB)相互作用的结构和电子性质的分析:取代对基态和电子激发态4-硝基吡啶-3-硫醇分子内氢键的影响的综合研究
机译:第一原理研究氧空缺缺陷的SnO2的电子电导率,结构和电子性质
机译:辐射对SiO
机译:利用密度泛函理论研究硫化铜的结构预测及其电子性质和空位形成趋势。
机译:掺杂钇的ZnO单层空位的电子结构和光学性质的第一性原理计算
机译:硅中磷-空位络合物的电子结构:共振键模型
机译:具有有序化学位移空间的各向异性半导体化合物的光电性质研究