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机译:改进的AlGaN / GaN HEMT温度模型和不同温度下的器件特性
Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Tennessee, Knoxville, TN 37996, USA;
AlGaN/GaN; HEMTs; temperature model;
机译:模拟温度对AlGaN / GaN功率HEMT器件特性的依赖性
机译:在宽温度范围内分析AlGaN / GaN HEMT的器件特性
机译:具有原子层沉积(ALD)HfAlO高k电介质的AlGaN / GaN功率器件的高温器件传输性能和关态特性的改善
机译:肖特基栅极AlGaN / GaN HEMT器件的直流响应高温特性的分析模型
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:AlGaN / GaN HFET的鳍和岛隔离以及AlGaN / GaN HFET的漏电流特性随温度变化的模型
机译:高功率,高效率sspas中siC和蓝宝石mmIC上微波alGaN / GaN HEmT的沟道温度模型