机译:基于准分析模型的双重材料栅极堆栈应变Gaa FinFET的性能分析
Department of Electronics and Instrumentation University of Kashmir Srinagar India;
Department of Electronics and Instrumentation University of Kashmir Srinagar India;
GAA FinFET; scaling factor; effective oxide thickness (EOT); High-K dielectric; equivalent number of gate; short channel effects (SCEs);
机译:具有双材料底栅的高k栅叠层双材料三栅极应变无硅MOSFET的3-D解析模型,可抑制短沟道效应
机译:双材料栅极应变梯形FinFET亚阈值短沟道行为的综合分析
机译:单材料闸门,双层材料闸门和三重材料栅极FINFET之间的比较分析:RF /模拟和数字逆变性能
机译:高性能和可靠的应变SiGe PMOS FinFET通过先进的栅极堆叠工程实现
机译:FINFET周围的栅极(GAA)纳米线的静电分析
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:三重材料门GAA SNSTFT的仿真与性能分析
机译:正常入射高性能p型应变层InGaas / alGaas和Gaas / alGaas量子阱红外光电探测器的研究