机译:低功耗和高速10T静态随机存取存储器的设计与统计分析
IIIT Naya Raipur Dept Elect & Commun Engn Chhattisgarh 493661 India;
NIT Raipur Dept Elect Engn Chhattisgarh India;
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bit line; power consumption; static noise margin; static noise margin; word line;
机译:基于16nm的鲁棒DG-FinFET的10T静态随机存取存储器单元设计,用于超低功耗设计
机译:低功耗半选择免费10T静态随机存取存储器单元
机译:45 nm低功耗32 kb嵌入式静态随机存取存储器(SRAM)单元的设计与分析
机译:利用堆叠晶体管降低功耗的10T静态随机存取存储单元的设计实现
机译:鲁棒低压静态随机存取存储器的设计与分析。
机译:研究表明该队列的多个随机对照试验设计极易受到较低的统计功效和内部效度偏差的影响
机译:低功耗静态随机存取存储器(sRam)设计分析与概述