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机译:由于大气辐射,结垢对本体,FDSOI和FinFET技术的软错误敏感性的影响
French Aerosp Lab ONERA, Toulouse, France;
French Aerosp Lab ONERA, Toulouse, France;
Thales Avion, Le Haillan, France;
Atmospheric radiation; VLSI trend; Soft error; MUSCA SEP3; FinFET; FDSOI;
机译:CMOS技术缩放对大气中子软错误率的影响
机译:使用7 nm FinFET技术设计的大多数选民的辐射诱发的软错误评估
机译:老化对平面和批量技术的6T SRAM软错误率的影响
机译:FF设计在20-nm体平面和16-nm体FinFET技术中的软错误率与温度的关系
机译:体和SOI FinFET中的辐射引起的单事件瞬变(SET)效应以及与体CMOS的鲁棒性比较。
机译:医疗错误报告软件程序的开发及其对儿科医疗错误报告的影响
机译:7 NM FinFET技术中多数选民中辐射诱导的软误差评估