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【24h】

Dynamic Simulation of Radiation -Induced Defect Formation in Multicomponent layered Materials in the Cascade Stage

机译:级联多组分层状材料中辐射诱发缺陷形成的动态模拟

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摘要

A physical model is proposed for ballistic processes under high-fluence ion bombardment, with allowance made for sputtering, ion-bean mixing, and accumulation of radiation-induced defects. Simulated sputtering depth profiles of irradiated Al/GaAs heterostructures are compared with experimental data.
机译:针对高通量离子轰击下的弹道过程,提出了一个物理模型,并考虑了溅射,离子豆混合以及辐射诱发缺陷的积累。将辐照的Al / GaAs异质结构的模拟溅射深度分布与实验数据进行了比较。

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