SEMICONDUCTOR-METAL TRANSITIONS IN MELTS

YU.S.TVERYANOVICH

首页> 外文期刊>Inorganic Materials >SEMICONDUCTOR-METAL TRANSITIONS IN MELTS

【24h】

SEMICONDUCTOR-METAL TRANSITIONS IN MELTS

机译：熔体中的半金属过渡

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

The semiconductor-metal transition in Ge-Te melts is treated as a first-order transition. The melt properties are found to change sharply in the range 3-5 at. Ge.

机译：Ge-Te熔体中的半导体-金属过渡被视为一阶过渡。发现熔体性质在3-5at范围内急剧变化。哥

著录项

来源
《Inorganic Materials》 |1999年第6期|574-576|共3页
作者
YU.S.TVERYANOVICH;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工程材料学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. High Curie temperature and strain-induced semiconductor-metal transition with spin reorientation transition in 2D CrPbTe3 monolayer [J] . Nanotechnology . 2020,第19期

机译：高居里温度和应变诱导的半导体 - 金属过渡，在2D CRPBTE3单层中的旋转重新定位过渡
2. Semiconductor-metal transition in semiconducting bilayer sheets of transition-metal dichalcogenides [J] . Swastibrata Bhattacharyya, Abhishek K. Singh Physical review . 2012,第7期

机译：过渡金属二卤化物半导体双层板中的半导体-金属过渡
3. Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition [J] . LIANG Jiran, HU Ming, KAN Qiang, 稀有金属：英文版 . 2011,第003期

机译：二氧化钒薄膜在半导体-金属过渡过程中的红外过渡特性
4. Charge Effects on Semiconductor-Metal Phase Transition in Mono-layer MoTe2 [C] . Jixuan Wu, Xiaolei Ma, Jiezhi Chen, 2019 Silicon Nanoelectronics Workshop . 2019

机译：电荷对单层MoTe 2 中半导体金属相变的影响
5. Semiconductor-metal transition in epitaxial vanadium dioxide thin films on titanium dioxide(100) considering a phase equilibrium [D] . Zhong, Xing 2013

机译：考虑相平衡的二氧化钛（100）上外延二氧化钒薄膜中的半导体-金属跃迁
6. SmS/EuS/SmS Tri-Layer Thin Films: The Role of Diffusion in the Pressure Triggered Semiconductor-Metal Transition [O] . Andreas Sousanis, Dirk Poelman, Philippe F. Smet 2019

机译：SmS / EuS / SmS三层薄膜：扩散在压力触发的半导体-金属跃迁中的作用
7. Glass Transitions, Semiconductor-Metal Transitions, and Fragilities in Ge-V-Te (V = As, Sb) Liquid Alloys: The Difference One Element Can Make [O] . Wei Shuai, Coleman Garrett J., Lucas Pierre, 2017

机译：Ge-V-Te（V = As，Sb）液态合金中的玻璃化转变，半导体金属转变和脆性：一种元素可以产生的差异
8. Structural Studies of Amorphous Mo-Ge Alloys Through the Semiconductor-Metal Transition [R] . Kortright, J., Bienenstock, A. 1983

机译：通过半导体 - 金属转变的非晶mo-Ge合金的结构研究

SEMICONDUCTOR-METAL TRANSITIONS IN MELTS

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅