ビアポストと研削平たん化法を用いたパッケージ用微細多層配線技術

摘要

ビアポストとシリコンウェーハ自体の薄板化に用いられている研削平たん化法を利用した，高密度パッケージ用の低コストな多層配線技術を開発した．シリコンウェーハを基板とし，エポキシ系のビルドアップ絶 縁膜をビアとなる銅ポストの上から積層・硬化させ，ビルドアップ絶縁膜を研削して銅ポストを露出させると同時に，絶縁膜表面に微細な粗さを生じさせる．次に，この絶縁膜の表面改質を利用し，粗さの小さい絶縁膜表面に低コストなめっき銅配線を高い密着力で形成させる方法である．このプロセスを用いることにより，絶縁膜上にL/S＝5μm/10μmの微細配線が形成可能となった．今後の低コストなWL-CSP（Wafer Level Chip-Size Package）ヤフェースアップでのチップ内蔵基板に適用できると考えられる．本論文では，材料組成や材料物性の観点から，上記プロセスに有利なビルドアップ絶縁膜を検討するとともに，密着力向上に影響を及ぼす要因についても考察する．