ナノエレクトロニクス

摘要

半導体LSIにおける微細化も数十ナノメートルのスケールに至ろうとしており，現状技術の極限を追求するような研究開発が活発に進められている．一方で，半導体素子の微細化限界もいろいろな形で顕在化しつつあり，ナノスケールで生ずる材料の自己組織化現象やナノスケール特有の物理現象を利用し，従来の素子の延長では実現不可能な機能を創出するナノエレクトロニクス素子への期待も大きい．ここでは，材料の自己組織化現象を利用した例としてカーボンナノチューブ素子，ナノブリッジ素子を，ナノスケール特有の物理現象を利用した例として量子ビット素子，Siナノフォトニックデバイスを挙げて，それぞれの応用可能性と，そこに向けての技術的課題について述べていく．将来のユビキタス情報社会の実現に向けて，極限にまで性能の追求された現状の半導体素子と並んで，上記のようなナノエレクトロニクス素子が大きな役割を果たしていくものと確信する．