スピントランジスタを用いた積層型nand Mramの読出し法の検討

摘要

本論文ではスピントランジスタを用いた積層型NAND MRAMを提案し，その読出し法を検討しrnた．読出しセルと通過セルに印加するゲート電圧を最適化することにより，フラッシュメモリと同程度以上の積rn層数（32～64）と60ns以下の高速読出し時間を実現できる．