薄型チップを高強度化するダイシング技術

摘要

高度情報ネットワークを支える情報通信端末が次々と携帯機器化されるにつれ，情報端末の小型化rn軽量化への要求が高まってきている．この実現には，半導体の小型軽量化が不可欠であり，チップの薄型化と高rn強度化が重要な技術となる．チップの薄型加工，及び個片化にはダイヤモンド砥石を用いた機械加工が用いられrnてきた．しかし，50～200μm厚の薄型化をターゲットとした場合には，この機械加工による残留ダメージがチッrnプの抗折強度低下の要因となるため，このダメージの除去を実現するプロセスの構築が必要になる．チップ残留rnダメージのうち，チップ側面ダメージに注目し，ブレードダイシング，レーザダイシング，へき開を検討し，へrnき開のプロセスが有効であることを導き出した．へき開を先ダイシング（DBG: Dicing Before Grinding）のrnプロセスと組み合わせたCleaving-DBG+CMPのプロセスを用いることで，チップの平均抗折強度は253MParnから1668MPaまで大幅に向上した．