机译:通过包括MOSFET的多晶硅耗尽效应和表面电势变化从RTS噪声数据中准确提取陷阱深度
Inter-University Semiconductor Research Center and School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Seoul 151 -742, Korea;
trap depth; RTN; time constants; poly gate depletion effect; surface potential variation;
机译:包括多晶硅耗尽效应和MOSFET的表面电势变化,从RTS噪声数据中准确提取陷阱深度
机译:包括多晶硅耗尽效应和MOSFET的表面电势变化,从RTS噪声数据中准确提取陷阱深度
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