机译:闪存EEPROM单元的新写/擦除操作技术可改善读干扰特性
flash memory; read disturb characteristics; write/ erase operation; stress leakage current;
机译:一种新的写/擦除方法,基于闪存的应力泄漏电流的衰减现象来改善读取干扰特性
机译:一种新颖的门辅助反向读取方案,可控制深层拆分门SONOS闪存EEPROM单元中多位/单元操作的位耦合和读干扰
机译:源端注入闪存EEPROM设备中的写/擦除降级和干扰效应
机译:闪存EEPROM单元的新型写/擦除操作技术可改善读取干扰特性
机译:编程,擦除和读取闪存EEPROM的瞬态模型。
机译:电化学电子束光刻:根据需要写入读取和擦除金属纳米晶体
机译:一种新颖的门控反向读取方案,可控制深层拆分门SONOS闪存EEPROM单元中多位/单元操作的位耦合和读干扰
机译:用于双光子3-D光存储器件的新型读/写/擦除材料