机译:使用CS-CS级联和C耦合的2.3-7 GHz CMOS高增益LNA
Telecommunication R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon 442-600, Korea;
Seoul National University, Seoul, Korea;
Seoul National University, Seoul, Korea;
Seoul National University, Seoul, Korea;
wideband LNA; coupling capacitor; common source-common source cascode;
机译:低压工作状态下CMOS折叠级联LNA的增益增强技术
机译:用CASCODE和共源拓扑结构设计超低功率7.5GHz LNA的0.13μmCMOS技术
机译:宽带低功耗22-32.5 GHz 0.18μmBiCMOS有源Balun-LNA,具有互感器级联级联拓扑,具有IM2抵消功能
机译:CMOS折叠共源共栅LNA在低电压和低功耗操作下的增益增加技术
机译:可制造60GHz CMOS LNA的设计技术。
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:0.13μm电感退化级联CMOS udLNA在2.14GHz