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LSI電源系の容量分散配置とデカップリングによるEMI低減とパワーインテグリティの実現

机译:通过容量分配安排和LSI电源系统的去耦实现EMI降低和电源完整性

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摘要

従来,LSI電源系の設計において,バイパスコンデンサの配置により電源供給系のインプットインピーダンスを目標値以下まで下げ,パワーインテグリティを向上するという方針が取られてきた.しかし,LSI動作電流の高い周波数成分をPCBに設置したバイパスコンデンサから供給するような設計にするとEMIの増加につながる.そこで,本研究では直流電源供給系にデカップリングインダクタを配置し,スイッチング電流を閉じ込めることでEMI低減を計る.さらにバイパスコンデンサをチップ内,パッケージ上,PCB上に分散配置することでパワーインテグリティも両立する設計手法を提案する.一例として,今回は600MHz以上の周波数帯のスイッチング電流をパッケージ内に閉じ込め,100MHz以上の周波数帯のスイッチング電流をPCB内に閉じ込め,直流電源には1 MHz;以上の周波数帯のスイッチング電流がほとんど流れない設計例を紹介する.%Conventionally a strategy of reducing impedance of DC power distribution network (PDN) for LSI has been adopted to improve the power integrity. However, when the high-frequency component of LSI operation current is supplied from bypass capacitors on the PCB, it can cause EMI increase. To decouple such high-frequency current and reduce EMI, we introduced decoupling inductors on the PDN in combination with bypass capacitors located on chip, package and PCB to improve the power integrity. In this report, we propose a design scheme of the decoupling circuit with an example that confines the high-frequency component above 600 MHz in the package, above 100 MHz in the decoupling circuit on PCB, and DC supply current only contains the frequencies lower than 1 MHz.
机译:传统上,在LSI电源系统的设计中,采取了通过设置旁路电容器将电源系统的输入阻抗降低到目标值以下的方法来改善电源完整性。但是,如果设计是从安装在PCB上的旁路电容器提供LSI工作电流的高频分量,则将导致EMI升高。因此,在本研究中,将去耦电感器放置在直流电源系统中,并限制开关电流以降低EMI。此外,我们提出了一种设计方法,该方法通过在芯片,封装和PCB上放置旁路电容器来实现电源完整性。例如,这一次,将600MHz或更高频段的开关电流限制在封装中,将100MHz或更高频段的开关电流限制在PCB中,并且1MHz或更高频段的开关电流流向DC电源。这是一个不存在的设计示例。为了降低电源完整性,通常采用降低LSI的DC配电网(PDN)阻抗的策略,但是,当LSI工作电流的高频分量由PCB上的旁路电容器提供时,会导致EMI增加:为了去耦这种高频电流并降低EMI,我们在PDN上引入了去耦电感,并结合了位于芯片,封装和PCB上的旁路电容器以改善电源完整性。在本报告中,我们提出了一种设计方案去耦电路示例,将高频分量限制在封装中的600 MHz以上,将PCB上的去耦电路限制在100 MHz以上,而直流电源电流仅包含低于1 MHz的频率。

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