RF－MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価

摘要

今回、LiAlO_2（100）基上に無極性M面InNの結晶成長に成功したので報告する。RF－MBE法を用いて、LiAlO_2（100）基板上に直接InNをエピタキシャル成長させた。成長温度およびV／Ⅲ比を変化させて成長を行ったところ、成長温度450℃かつ僅かにIn-rich条件下においてM面InNの結晶成長に成功した。しかし、成長温度が低くなるにつれてC面InNが混在しやすく、また成長温度450℃においてもN－rich条件ではC面InNの混在が確認された。このように、LiAlO_2（100）基板上にM面InNを作製するために、成長温度450℃かつ僅かにIn－rich条件に制御することが重要であることがわかった。このようにして得られたLiAlO_2（100）基板上M面InNの透過型電子顕微鏡（TEM）による極微構造評価も行ったので報告する。%In this study, we report the growth and characterization of M-plane InN films on LiAlO_2 (100) substrates by radio-frequency plasma assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE). InN films were grown directly on the substrate. Pure M-plane InN was successfully grown at 450℃ and under slightly In-rich condition. However, the incorporation of C-plane InN phases were confirmed in M-plane InN films at low temperature or under N-rich condition. Therefore, it is important to control the growth temperature and Ⅴ/Ⅲ ratio for the growth of pure M-plane InN. We also characterized the microstructure of the pure M-plane InN on LiAlO_2 (100) by using transmission electron microscopy (TEM).