InGaNの2種の柱面からの発光特性

摘要

InGaN crystals yielding blue cathodoluminescence (CL) were grown by the nitridation of the mixture of GaN crystals with indium sulfide powders in an ammonia flow at 1000℃. Grown InGaN crystals have crystal habit with twelve prismatic planes. By a highly spatially resolved CL imagining study on a scanning electron microscope equipped with a monochromator the prismatic planes are grouped into two groups: pentagonal shaped planes yielding blue CL and rectangular planes without luminescence. The pentagonal shaped plane is assigned to the {11-20} a-plane by electron backscattering pattern (EBSP) method. InGaN growth with In content controlled by GaN growth planes is discussed.%青色のカソードルミネッセンス（CL）を示すInGaN結晶をGaNとIn硫化物を混ぜ合わせて1000℃でアンモニアと反応させて得た。得られたInGaN結晶は12面の柱面のある晶癖を持っていた。高空間分解能CL装置でこの結晶を観察したところ、強い青色CL発光を示す五角形の柱面と、あまり強い発光を示さない長方形の柱面が交互に並んでいた。これら2種の柱面の指数付けを後方散乱電子回折像（EBSP）を用いて行い、五角形の柱面は{11－20}a面、長方形の柱面は{1-100}m面であるとした。GaNの晶癖面の違いによりその上に成長するInGaNの発光特性が異なる点について議論する。