深紫外・紫外域半導体発光デバイスのためのAlNテンプレートの高品質化

摘要

Misfit-dislocation and related defects were grown on hetero-interface between substrate and epitaxial layer, and influence to light emitter's efficiency, in ordinarily speaking. Up to this time, we have reported on (AlN/GaN) Multi-Buffer Layer structure and Alternate Source-Feeding MO-VPE technique for improving crystalline quality, because its affect to emission efficiency of optical devices. In this report, we are discussing on old and new improving technique of the crystalline quality of AlN template, especially edge-type dislocation, for UV and deep-UV light emitter applications.%AlN、GaN及びそれらの混晶半導体であるAlGaNなどの窒化物半導休では、基板との格子整合がとれていないことから、基板とエピタキシャル成長層とのヘテロ界面で、ミスフィット転位、欠陥が発生、エピタキシャル成長層に多くの転位や欠陥が含まれる。その結果、窒化物半導体を利用した発光デバイスの発光効率などに大きな影響を与える。この転位や欠陥を低減する方法として、我々は基板上に（AlN／GaN）多重バッファ層構造による歪み制御による貫通転位のフィルタリング効果、AlNテンプレート構造を導入と成長法の工夫とにより、テンプレート層の高品質化を達成してきた。ここでは、どのようにして高品質テンプレートを作製して来たのか、特に，今回は刃状転位密度を如何にして低減したかについて議輪してみたい。