エミッタにBPFを装荷した38GHz帯低位相雑音VCO

摘要

Generally, it is important to realize a high loaded Q for a low phase noise oscillator. However, in order tornresistance of varactor diodes, unloaded Q of tuned circuits is low in high frequency band such as millimeter-wave band. As a result, it is difficult to reduce the phase noise by increasing the loaded Q. Therefore this paper proposes a 38GHz VCO with a BPF at emitter and a tuned circuit at base. It is shown that the phase noise of the proposed VCO is -113.5dBc/Hz +/- 3.2dB at 1MHz offset from the carrier and lower 7.9dB max. than the VCO without a BPF.%一般に，発振器の低位相雑音化の対策として，同調回路の高負荷Q化が行われている．しかしながら，ミリ波帯などの高周波数帯ではバラクタダイオードの損失が大きいために同調回路の無負荷Qが低く，高負荷Q化による低位相雑音化には限界がある．したがって，ここではベース側に装荷された同調回路とは別に，エミッタ側にBPFを装荷することを提案し，低位相雑音化の効果を確認したので報告する．測定の結果，38GHz帯において－113．5dBc／Hz±3．2dB＠1MHz offsetの位相雑音が得られ，BPF未装荷と比較して最大7．9dBの改善効果が得られた．