有機トランジスタ型メモリの誘電体層として用いた生体高分子の高次構造と電気特性との相関

摘要

我々は以前から有機トランジスタの誘電体層に合成タンパク質であるポリ（γ-メチル-L-グルタメート）［PMLG］の薄膜を用いると強誘電的なメモリ特性を示すということを報告してきた［1，2］。このメモリ素子はフレキシブル基板上に印刷法で形成することが可能であるが、さらなる高性能化と大面積化を実現するためには製造プロセスに適合性のある要素技術を検討しておく必要がある。この素子はPMLG分子の配向状態と分子間相互作用をコントロールすることで良好なメモリ特性が得られることが分かっているが、最適な高次構造の特定には至っていない。そこで本報ではPMLGの3次構造の制御を行って、その電気特性を評価することでそれらの相関について検討を行い、印刷法に適合したデバイス作製の要素技術を開発し、高性能なメモリ素子を得ることを目的とした。%Printable nonvolatile memory device has been collecting keen interest from a standpoint of application to flexible large area device. We have been studied printable organic thin film transistor (OTFT) memory fabricated with a-helical poly-y-methyl-L-glutamate [PMLG] as a ferroelectric layer. PMLG shows ferroelectric behavior when molecular axis of PMLG is aligned in parallel to the film surface. In order to reveal the mechanism of PMLG memory device in detail, we investigated the affect of higher order structure of PMLG on ferroelectric property by controlling the PMLG tertiary structure.