Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討

摘要

Mechanisms of work function modulation in PtSi alloying with Hf was investigated. When a silicidation of Pt(15 nm)/Hf(8 nm)-Si(100) was carried out at 750 ℃/5 min in N_2 ambient, 0.1 eV reduction of barrier height for electron was observed, while 0.3 eV reduction was observed in case of 400℃/60 min silicidation. This is attributed to that the uniformity of the silicide thin film was improved in case of 400℃/60 min silicidation.%PtSiのn-Siに対する障壁高さを低減することを．目的として、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行った。Pu/Hf-Si（100）積層構造を形成後、窒素中400-750℃のアニールを行いPt_xHf_(1-x)Siを形成した。Pt（15nm）/Hf(8nm）-Si（100）構造に対して、750℃/5minでシリサイド化した場合、障壁高さが0.1eV低減されたことに対し、400℃/60minでシリサイド化した場合、障壁高さを0.3eV低減可能であることが分かった。これは、400℃でシリサイド化した場合、平坦性が改善し、界面特性が向上したためと考えられる。