InGaAs基板上1.3ミクロン帯リッジレーザによる10Gbps直接変調動作

摘要

We have developed high performance ridge waveguide laser diodes on an InGaAs ternary substrate grown by a novel bulk crystal growth technique (TLZ method). A low indium content (In: 0.13) InGaAs substrate improves the thermal conductivity and enables laser operation even with a short cavity (L=200 μm). Single lateral mode operation was obtained by reducing the ridge width. This laser operates at a long wavelength of 1.31 μm with a highly strained InGaAs quantum well. These improvements led to the first demonstration of a 10 Gbps data transmission using a ridge waveguide laser on an InGaAs substrate.%GaAsとInPの間で格子定数を選択できるInGaAs基板はレーザ構造の設計自由度が高く、高温まで動作するレーザのための基板として期待されている。我々は結晶性向上と大面積化を目指したTraveling Liquidus-Zone（TLZ）法によるInGaAs基板成長技術開発とこの基板を用い高歪InGaAs量子井戸を活性層とした波長1.3μmレーザの検討を行ってきた。今回は低In組成のInGaAs基板上に単一横モードリッジレーザを作製し、動特性評価を行った。10Gbpsの明瞭なアイ開口を確認し、シングルモードファイバを通して20kmのエラーフリー伝送を実現した。