MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性（Ⅰ）

摘要

Iodine doping of CdTe layers grown on Si substrates by metal-organic vapor phase epitaxy has been studied using ethyliodine (El) as a dopant. CdTe layers were grown at the growth temperature of 325 ℃ and the DETe/DMCd supply ratio of 0.25. n-type layers with electron concentrations from 10~(13) to 10~(16) cm~(-3) were obtained by controlling the supply rate of El. The grown layers were also examined by photoluminescence (PL) at 4.2K. PL spectra of doped layers showed consistent variation with incorporation of iodine.%有機金属気相成長法による，Si基板上のCdTe層のヨウ素ドーピング特性について検討を行った．成長原料として，DMCdとDETeを用い，ドーバントとしてEIを用いた．成長温度を325℃とし，Ⅵ/Ⅱ比を0.25とした場合，EI供給量を10~(-10)から10~(-8)mol/minの範囲で制御することによって，電子密度を10~(13)から10~(16)cm~(-3)に制御することが可能であることが分かった．