MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性（Ⅱ）

摘要

エチルヨウ素をn型不純物としてMOVPE法によるp型CdTe層の高抵抗化について検討を行った。成長温度510℃と610℃では、ヨウ素ドープCdTe層の抵抗率はⅥ/Ⅱ比3.0の場合でEI供給量1×10~(-6)mol/min以上で急激に増加することが分かった。また、抵抗率はⅥ/Ⅱ比3.0から1.0に減少した場合には、より少量のEI供給量で高抵抗化することが分かった。以上の結果から、CdTe層の高抵抗化の機構について検討を行った。%Growth characteristics of high resistive CdTe layers by metal-organic vapor phase epitaxy have been studied. Layers were grown using dimethylcadmium (DMCd) and diethyltelluride (DETe) at growth temperature of 510℃ and 610℃, where ethyliodine (EI) was a dopant. At the supply rate ratio of DETe to DMCd (Ⅵ/Ⅱ ratio) of 3.0, the resistivity of layers increased abruptly at the supply rate of EI above 1.0×10~(-6) mol/min. When the VI/II ratio was decreased to 1.0, the increase of the resistivity shifted to occur at lower supply rate of El. The mechanisms of the high resistivity were also discussed.