半導体レーザの活性層に数～数十nm程度の量子ドットを埋め込むことにより、キャリアのエネルギー状態を離散化させることができる。そのため、量子ドットレーザの理論解析においては、通常の光の電場とキャリア以外に、ドット内キャリア占有率の変化を考慮する必要がある、量子ドット半導体レーザダイナミクスについては、実験および理論解析ともにほとんど研究がなされていない。本研究では、3変数レート方程式を用いて、戻り光量子ドットレーザのダイナミクスについて調べた。%To achive high performance semiconductor lasers, quantum-dot structure are introduced in the active layer, However, little has been studied for the dynamics of quantum-dot semiconductor lasers. Here we numerically study the dynamics of quantum-dot semiconductor lasers taking into account the occupation probability of carrier in a dot in the laser rate equation and investigate the effects of optical feedback from an external reflector.
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