AR1000基板を用いて構成されたマイクロストリップ線路に関する伝搬定数の評価に関する検討

摘要

銅張りガラスクロス・セラミックPTFE積層基板AR-1000に関して平面および垂直方向の複素比誘電率、表面および界面比導電率が、各種共振器法を用いて測定されている。本報告では、AR-1000上に構成される50Ωマイクロストリップ線掛こ関して、伝搬定数すなわち減衰定数αおよび実効誘電率ε_(cff)を1-20GHzにわたり計算する。さらにε_(cff)の評価方法を検討する。実験により本評価方法の妥当性を検証する。なお、これらの計算には電磁界シミュレータHFSS，Femtett,およびSonnet emを用いた。%Using complex relative permittivity in normal and tangential directions for the copper-clad ceramic/PTFE glass cloth laminate substrate AR-1000 measured actually and surface and interface relative conductivity of copper film by various resonator methods, we calculate propagation constants γ=α+jβ, where a is attenuation constant and β is phase constant from 1GHz to 20GHz for 50-orm microstrip line constructed on AR-1000 substrate. Additionally, we discuss on methods of numerical estimation of relative effective permittivity ε_(eff) Finally, we verify the validity of this evaluation method by the experiments. These calculated results are calculated by electromagnetic simulator HFSS, Femtet, Sonnet em.