ステップストレス測定によるAlGaN／GaN HFET電流コラプス解析

摘要

AlGaN/GaNHFETの電流コラブスは、ドレインバイアスによるデバイス内での局所的な負帯電が原因とされている。本研究ではストレス電圧を徐々に変化させて測定を行うステップストレス測定法を用いて、ストレス印加による負帯電の過程をデバイス特性を通して観察した。測定より得られたI_D-V_D特性より電流コラブスがドレイン側での負帯電あることを確認し、I_D-V_G特性より負帯電がバルク内であるとの予測を得た。さらに過渡応答特性を調べることで、負帯亀がバルク内トラップによる現象であることの証明を試みた。%Current Collapse of AlGaN/GaN HFET is assumed that a negative charge in the device by Drain bias is a cause. The process of the negative charge by the stress impression was observed by using the step stress measurement in the present study through the measurement of the device characteristics. It was confirmed that current Collapse was a drain side from the Id-Vd characteristics obtained from the measurement, and did the forecast where negative charge is in the bulk from the Id-Vg characteristics. In addition, proof where the negative charge was in the bulk the transition response characteristic was examined was tried.