GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析

摘要

High In content GalnN films are promising for many applications such as multi-junction tandem photovoltaic cells, high power heterostructured field-effect transistors, high-brightness green light-emitting diodes, etc. Up to now, growth temperature for high In composition GalnN films should be lower than that of GaN. It is desirable to grow GalnN at higher temperature to achieve high quality and low residual impurities. It is possible to grow GalnN at higher temperature under higher pressure. This paper reports GalnN growth at raised pressure by MOVPE and these thermodynamic aspects.%高In組成GaInNは高効率多接合型太陽電池，高出力ヘテロ構造電界効果トランジスタや高効率緑色LED・LDへの応用が期待されている。従来のMOVPE法では高In組成GaInNは低温成長が必須であったが，結晶性の悪さや残留不純物濃度が増加しやすいことから，高温での成長が望まれている。GaInNにおいて加圧成長することで，より高温で成長可能になる。本報告では，加圧MOWE法を用いたGaInNの結晶成長およびその熱力学解析について報告する。