ダブルキャップ法を用いたMOVPE選択成長によるInAs量子ドット広帯域LED

摘要

キャリアを0次元に閉じ込める構造を持つ量子ドットは独特な特性を持つとされている．そして量子ドットはレーザやLEDのような様々な半導体光デバイスの性能を向上すると考えられている．量子井戸構造をでは高さ方向の一次元でのみエネルギー準位を制御可能であるが，一方で量子ドットでは三次元的な制御が可能であり，より広い範囲の波長制御が可能である．このことから広帯域な波長を放出する光源は1.55μm通信波長帯域を含む波長分割多重（WDM）や2.0μm付近の環境ガスセンサ，光干渉断層計などで応用可能である．今回の研究では，MOVPE選択成長法とダブルキャップ法による量子ドットアレイ構造を用いた400nmを超える量子ドットLEDの広帯域なEL発光特性を示す．%Semiconductor self-assembled quantum dots (QDs) that have zero-dimensional carrier confinement structure are predicted to have unique physical properties. And these QDs are expected to increase the performance of various semiconductor optical devices such as laser or LED. By using the semiconductor quantum well structure, only one dimension of the height can be controlled the quantum energy level, on the other hand, in the QDs structure, the three-dimensional control of the energy level is possible, and we can obtain the more wide wavelength control. For this reason, The wide wavelength emission source can be applied, such as very wideband wavelength division multiplex (WDM) system, including the 1.55 urn optical telecommunication wavelength, the environmental gas detecting in the longer wavelength near the 2.0 μm,and the light source for optical coherence tomography. In this study, we show the wideband wavelength electro luminescence (EL) more than 400 nm of quantum dot LED using selective MOVPE growth and double-cap procedure.