電気プラガブルソケット実装1μm 帯10Gbit／s×12ch小型並列光モジュールの伝送特性

摘要

次世代の光インタコネクションでは，総伝送容量の増大を実現するため，光モジュールを高密度に実装し，信号の並列多重数を増加することが求められる．そのため，小型光モジュールの需要が高まることが予想され，我々も開発を行ってきた．一方，これまでの光インタコネクションに採用される波長は850nm帯であり，光デバイスにはGaAsが使用されてきたが，我々は高速変調，信頼性の向上，低消費電力化が期待できるInGaAs光デバイスを用いた1μm 帯光インタコネクションを提案している．1μn帯の信号伝送は，850nm 帯と比較して，ファイバの伝送損失及び波長分散が小さく，長距離化が実現できるという優位性もある．本検討では，1μm 帯の伝送性能を明らかにするために，電気プラガブルソケット実装1μm 帯10Gbit／s×12ch小型並列光モジュール及び1μm 帯に最適化したMMFを作製し，光リンクを構成して伝送実験を行った．その結果，10Gbius×12chのエラーフリー伝送を1000m において達成した．また，1μm 帯の伝送性能の優位性を明らかにすべく，パワーペナルティについて検討し，850nm 帯と比較して長距離である程，改善効果があることを確認した．%To increase the total transmission capacity in the next generation optical interconnects, it is required to increase the number of multiplexed signals in parallel optics by densely-mounting optical modules. Therefore, small optical modules will be a key component. So far, the wavelength range of 850nm has been utilized for present optical interconnects where the semiconductor material of GaAs is employed for optical devices. In order to get the benefits in higher modulation capability, higher reliability, and lower power consumption, we have been proposing the usage of 1-μm-wavelength-range optical interconnects using InGaAs VCSEL and PD. It also provides the advantages of lower transmission loss and lower chromatic dispersion in MMF to realize a longer transmission distance. In this paper, we focused on clarification of the advantage of using 1-μm-wavelength-range in fiber transmission. We fabricated 1-μm 10-Gbit/s ×12ch small parallel-optical modules equipped in an electrical-pluggable socket and an MMF optimized for 1 μm. Then, we evaluated a parallel-optical link built with the modules and the MMF. As results, we achieved error free transmission with MMF of 1km when transmitting 10Gbit/s ×12ch simultaneously. To clarify the advantage of using 1μm in fiber transmission, the increase of power penalty is investigated in theoretical and experimental approaches in comparison with transmission of 850nm.