1×16フェーズアレイ型半導体光パケットスイッチ

摘要

Integrated photonic switch fabric with nanosecond reconfiguration time and broad operating bandwidth is of particular interest for the future ultra-high capacity optical-packet-switching networks and optical interconnection systems. We demonstrate, for the first time, a monolithically integrated InP 1×16 switch based on optical phased array. Basic static characteristics such as broad wavelength operation covering the entire C-band, extinction ratio of 17 dB, on-chip loss of 4-8 dB, and low-penalty transmission of 40-Gbps signal are demonstrated successfully. We have also developed a switching driver circuit, which enables dynamic switching to all the 16 ports with the rise/fall time of less than 11 ns.%次世代の大容量光パケットスイッチング（OPS：optical packet switching）ネットワークや光インターコネクションシステムにおいて，数ナノ秒以下の応答速度と広帯域な波長透過特性を持つ大規模光スイッチは，不可欠な技術である．我々は，ポート数の拡張に対して優位なスケーラビリティが期待されるフェーズアレイ型光スイッチに注目し，研究を進めてきた．今回，InPチップ上にモノリシック集積した1×16光スイッチの作製に初めて成功し，Cバンド全域（1530-1565nm）における波長無依存動作，17dBの消光比，4～8dBのオンチップ光損失，40Gbps信号の低ペナルティ透過特性など，諸特性の実証を行った．さらに，専用のスイッチドライバ回路を開発し，11nsの切り替え速度で全16ポートへの高速スイッチングの実証に成功した．