InAIGaAs/InAlAs マッハツェンダー干渉計型光スイッチのハイブリッド導波路構造による偏光無依存・低クロストーク動作の実現

摘要

We demonstrated a Mach-Zehnder (MZ) interferometer-type photonic switch using multi-mode interference (MMI) couplers with InAlGaAs/InAlAs compound semiconductor materials. Hybrid-waveguide structure with different etching depths was adopted for MMI couplers and other parts of the waveguides for polarization-independent operation. As a result, low-crosstalk switching operation of less than -20 dB was confirmed regardless of polarizations of an input light. Switching currents were 5.25 and 4.75 mA for TE and TM modes of the input light, respectively. High-speed switching operation with about 3 nano-second transition times was also confirmed.%我々は多モード干渉（MM）導波路を用いたマッハツェンダー干渉計型の光スイッチを InAlGaAs/InAlAs により作製してその特性評価を行った。偏光無依存動作を意図して、MMI 導波路とその他の箇所に対して異なるエッチング深さを採用したハイブリッド構造を採用した。TE モード及び TM モードの入力光に対していずれも-20dB 以下の低クロストークスイッチング動作が5.25mA、4.75mA と低偏光依存かつ低消費電力で実現された。更におよそ3ナノ秒の高速スイッチング特性についても確認された。