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Ga_2O_3 薄膜の作製と酸素センサ特性の評価

机译:Ga_2O_3薄膜的制备及氧传感器特性评估

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摘要

近年、環境問題に対する関心の高まりから、排気ガスの制御に酸素ガスセンサが注目されている。酸化ガリウムは900℃以上で酸素検知特性を持つことから、高温用酸素ガスセンサとして注目されている。そこで本研究ではβ-Ga_2O_3 薄膜をスパッタリング法で生成し、熱処理による結晶特性への影響と、測定温度の酸素センサ特性への影響について調べた。その結果、作成した薄膜の結晶特性は、熱処理の温度に依存することがわかった。また、測定温度は約1000℃でもっとも安定したセンサ特性が得られた。%Recently, from a point of environmental problems, oxygen gas sensors attract attention of controlling the exhaust gas. The Ga_2O_3 has an oxygen detection characteristic at more than 900t, so this material the attracts much attention as an oxygen sensor at high temperature. Therefore P-Ga_2O_3 films have been prepared by a RF magnetron sputtering method. The influence of annealing process on the crystal properties was investigated. The effect of the measureing temperature on the crystal properties was also investigated. It was found that the crystal properties of films depend on the annealing temperature. The stable properties were obtained at about 1000t.
机译:背景技术近年来,由于对环境问题的日益关注,氧气传感器在控制废气方面已引起关注。由于氧化镓在900℃以上具有氧检测特性,因此作为高温用氧气传感器受到关注。因此,在本研究中,我们通过溅射法形成β-Ga_2O_3薄膜,研究了热处理对晶体特性的影响以及测量温度对氧传感器特性的影响。结果发现,所形成的薄膜的晶体特性取决于热处理的温度。在约1000°C的测量温度下获得最稳定的传感器特性。最近,从环境问题的角度出发,氧气传感器引起了排气控制的注意。Ga_2O_3在900t以上具有氧气检测特性,因此这种材料作为高温下的氧气传感器引起了广泛的关注。采用射频磁控溅射法制备了-Ga_2O_3薄膜,研究了退火工艺对晶体性能的影响,研究了温度对晶体性能的影响,发现薄膜的晶体性能取决于在约1000t时获得了稳定的性能。

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