塗布型有機薄膜トランジスタにおける絶縁膜表面SAM処理の検討

摘要

We have investigated self-assembled monolayer (SAM) treatment on SiO_2 gate insulator of poly(3-hexylthiophene)(P3HT) thin-film transistor (TFT), and demonstrated a correlation between mobility and surface energy of the insulator. The device with lower surface free energy shows higher mobility. The docosyltrichlorosilane (DCTS)-treated device exhibits the best performance among the various SAM-treated device examined. Field-effect mobility and on/off ratio of the DCTS-treated P3HT TFT were 0.015 cm~2/Vs and >10~5, respectively.%ポリ（3-へキシルチオフェン）（P3HT）薄膜トランジスタのSiO_2ゲート絶縁膜上の自己組織化単分子膜（SAM）処理の検討を行い、絶縁膜の表面自由エネルギーと移動度の相関性を示した。表面自由エネルギーが低いデバイスで高い移動度が得られた。ドコシルトリクロロシラン処理したデバイスにおいては、移動度1．5×10~(-2)cm~2/Vs、オン/オフ比10~5以上が得られた。