（BEDT-TTF）（TCNQ）結晶FETの電界効果移動度にみられる多段階相転移

摘要

Temperature dependence of electron and hole mobility were investigated for (BEDT-TTF)(TCNQ) crystalline field effect transistors. The field-effect electron and hole mobility abruptly increased at 280 K, which will due to a phase transition occuring at the channel region of the field-effect transistor. In addition, ferroelectricity-like behavior was observed below 280 K.%BEDT-TTF）（TCNQ）はドナー性分子であるbis（ethylenedithio）-tetrathiafulvalene（BEDT-TTF）とアクセプタ性分子である7，7，8，8-tetracyanoquinodimethane（TCNQ）により形成される電荷移動錯体で、330Kにおいて金属一絶縁体転移を示す。この（BEDT-TTF）（TCNQ）結晶を活性層とした両極性電界効果トランジスタの伝導時性を詳細に調べ、電界効果電子移動度、正孔移動度の急激な増加を280Kにおいて観測した。バルクの導電率の温度依存性にはそれに対応した増加は見られないことから、FETのチャネルに特有の現象と考えられる。また、250K～280Kの温度領域では誘電特性の変化が伝達特性に現れ、それを解析したところ強誘電体的な分極の存在が明らかとなった。