nc-SiMOSカソードの電子放射特性

摘要

Metal-oxide-semiconductor (MOS) cathode arrays based on nanocrystalline silicon covered with a thin oxide film prepared by a pulsed laser ablation technique have been fabricated and their emission properties have been investigated. The electron emission occurred at the gate voltage higher than the work function of the Au gate, and was relatively stable. We observed the emission image on the phosphor screen and the emission divergence was estimated to be less than 3°.%極薄酸化膜で被覆されたナノ結晶シリコン（nc-Si）からなるMOSカソードアレイを製作し、電子放射特性について調べた。その結果、ゲート電極の仕事関数程度の低電圧からの電子放射を観測した。放射電流の経時変化は、時間と共に多少減少するものの、比較的安定であった。蛍光体を用いた放射電子パターンの観察により、放射電子は面内でほぼ均一で、ビーム広がり角が約3°と見疎もられ、指向性も良いことを確認した。