首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告 >コリメータスパッタリングによる結晶配向制御の基礎検討
【24h】

コリメータスパッタリングによる結晶配向制御の基礎検討

机译:准直器溅射控制晶体取向的基础研究

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Fundamental investigation was performed for crystalline orientation control by collimated sputtering with the purpose of obtaining inclined anisotropy media. Enhancement effect of crystalline orientation by the collimator was observed for perpendicular orientation of hep c-axis of Co-Cr alloy and Ru films. However, only small inclined angles of less than 2 degrees were obtained with inclined deposition using inclined collimators though the collimator angle was increased as large as 45 degrees. Further detailed study is required to obtain an inclined orientation film.%傾斜異方性磁気記録媒体の作製を目指して,コリメータスパッタリングによる薄膜の結晶配向制御の基礎検討を行った.Co-Cr合金膜やRu膜ではhcp軸の膜面垂直配向について,コリメータによる配向促進効果を確認できた.しかし、斜方堆積では,コリメータ軸を45度まで傾斜させても,配向軸の便きは2度以下の僅かな値しか得られなかった.斜め配向膜の作製にはスパッタ堆積機構についての詳細な検討が必要である.
机译:为了获得倾斜的各向异性介质,对准直溅射的结晶取向控制进行了基础研究,观察了准直器对Co-Cr合金和Ru膜的h c轴的垂直取向的结晶取向的增强效果。尽管将准直器的角度增加到45度,但使用倾斜的准直器进行倾斜沉积时,仍可获得小于2度的小倾斜角,还需要进一步研究以获得倾斜的取向膜。为了达到这个目的,我们对准直溅射法控制薄膜的晶体取向进行了基础研究。对于Co-Cr合金膜和Ru膜,我们确认了hcp轴已通过准直仪垂直定向。但是,在倾斜沉积中,即使准直仪轴倾斜至45度,取向轴也仅略小于2度。需要对溅射沉积机理进行详细研究,以制备倾斜取向的薄膜。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号